Mosfet检测试分析低价优惠华则检测第三方实验室CNAS/CMA

Mosfet检测试分析 低价优惠 华则检测第三方实验室CNAS/CMA
“华则检测”专业的第三方检测机构


Mosfet检测试分析_低价优惠_华则检测第三方实验室CNAS/CMA：“华则检测”专业的第三方检测机构。具有CNAS和CMA认证资质，拥有多个设备一流、水平、专业人员、制度规范的大型综合“第三方公正检测实验单位”，对外提供检测测试和验证等服务。

Mosfet检测试分析_低价优惠_华则检测第三方实验室CNAS/CMA：“华则检测”主要业务包含功率器件参数检测、半导体可靠性检测、半导体环境老化试验分析、应用级系统分析、半导体失效分析、车用分立器件可靠性测试认证、车用功率模块可靠性测试认证、力学实验、气候环境实验等领域，


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服务目录
Mosfet检测试分析_低价优惠_华则检测第三方实验室CNAS/CMA
一、失效分析测试·Mosfet检测试分析_低价优惠_华则检测第三方实验室CNAS/CMA
(1) 检测项目：开短路检测 4
(2) 检测项目：漏电检测 4
(3) 检测项目：产品外观或形貌确认 4
(4) 检测项目：尺寸测量 4
(5) 检测项目：超声波检测(SAT) 4
(6) 检测项目：X-ray检测 5
(7) 检测项目：推拉力检测 5
(8) 检测项目：有害物质检测 5
(9) 检测项目：剖面分析 5
(10) 检测项目：样品开封 5
二、电学检测 ·Mosfet检测试分析_低价优惠_华则检测第三方实验室CNAS/CMA
(1) 检测项目：直流参数 6
(2) 检测项目：雪崩能量 6
(3) 检测项目∶栅极电阻 6
(4) 检测项目：开关时间（器件级） 6
(5) 检测项目：开关时间（模块级） 6
(6) 检测项目：反向恢复（模块级） 6
(7) 检测项目：反向恢复（器件级） 6
(8) 检测项目：栅极电荷（模块级） 7
(9) 检测项目：栅极电荷（器件级） 7
(10) 检测项目：短路耐量能力（模块级） 7
(11) 检测项目：短路耐量能力（器件级） 7
(12) 检测项目：结电容 7
(13) 检测项目：热阻性能（器件级） 7
(14) 检测项目：热阻性能（模块级） 7
(15) 检测项目：参数曲线扫描 8
(16) 检测项目：ESD能力 8
(17) 检测项目：正向浪涌能力 8
三、应用系统检测 ·Mosfet检测试分析_低价优惠_华则检测第三方实验室CNAS/CMA
(1) 检测项目：电气参数 9
(2) 检测项目：保护功能测试 9
(3) 检测项目：元器件应力测试 9
(4) 检测项目：电气/抗电强度测试 9
(5) 检测项目：绝缘电阻测试 10
(6) 检测项目：接地电阻测试 10
(7) 检测项目：低温测试 10
(8) 检测项目：高温测试 10
(9) 检测项目：高加速寿命/应力测试 10
(10) 检测项目：静电放电抗扰度测试 10
(11) 检测项目：雷击浪涌抗扰度测试 10
(12) 检测项目：电源端子骚扰电压/传导测试 11
四、可靠性测试 ·Mosfet检测试分析_低价优惠_华则检测第三方实验室CNAS/CMA
(1) 检测项目：功率循环龌 (PC) 12
(2) 检测项目：高温门极试验(HTGB) 12
(3) 检测项目：低温工作寿命试验(LTOL) 12
(4) 检测项目：低温储存试验(LTSL) 12
(5) 检测项目：高低温循环试验(TC) 12
(6) 检测项目：稳态功率试验(SSOL) 12
(7) 检测项目：无偏压的高加速应力试验(UHAST) 13
(8) 检测项目：预处理试验(Pre-con) 13
(9) 检测项目：高温反偏试验(HTRB) 13
(10) 检测项目：高温工作寿命试验(HTOL) 13
(11) 检测项目：高温储存试验(HTSL) 13
(12) 检测项目：高温高湿试验(THB) 13
(13) 检测项目：间歇寿命试验(IOL)功率循试验(PC) 13
(14) 检测项目：高加速应力试验(HAST) 14
(15) 检测项目：高温蒸煮试验(PCT) 14
(16) 检测项目：潮气敏感度等级试验(MSL) 14
(17) 检测项目：可焊性试验(Solderability) 14
一、失效分析测试·Mosfet检测试分析_低价优惠_华则检测第三方实验室CNAS/CMA

(1)检测项目：开短路检测
覆盖产品：IC
检测能力：满足128pin及以下引脚IC的open/short测试、曲线跟踪分析、漏电流测试；大电压7V，电压精度1mV，大电流 500mA，电礪度 10nA；
执行标准：客户要求
(2)检测项目：漏电检测
覆盖产品：IC，分立器件，模块等产品
检测能力：具有EMMI (微光)和TIVA (激光诱导)两种侦测方 式；加电方式A：电压20mV-200V，电流10nA-1A，电流精度 10fA；加电方式B：大电压3000V，大电流5A。
执行标准：客户要求
(3)检测项目：产品外观或形貌确认
覆盖产品：IC，分立器件，模块等产品
检测能力：立体成像/大45倍；金相成像/大1000倍；数码成像/大6000倍；
执行标准：客户要求
(4)检测项目：尺寸测量
覆盖产品：IC，分立器件，模块等产品
检测能力：立体成像/大45倍；金相成像/大1000倍；数码成像/大6000倍；
执行标准：客户要求
(5)检测项目：超声波检测(SAT)
覆盖产品∶ IC，分立器件，模块等产品
检测能力∶具有分层面积百分比计算，缺陷尺寸标识，厚度与距离测量等功能。可进行A-scan（点扫描）、B-scan（纵向扫描）、 C-scan（横向扫描）、Through-scan（透射扫描）。
执行标准∶国军标
(6)检测项目：X-ray检测
覆盖产品：IC，分立器件，模块等产品
检测能力：高分辨率0.5um。具有空洞面积百分比计算，缺陷尺寸标识，厚度与距离测量等功能。可进行二维扫描、三维CT扫描。
执行标准：国军标
(7)检测项目：推拉力检测
覆盖产品∶ IC，分立器件，模块等产品
检测能力∶支持WP100和WP2.5KG二款拉力测试头，测试范围0- 2.5Kg;支持BS250、BS5KG和DS100KG三款推力测试头，测试范围0-100Kg，推刀接受面宽0-8891um。
执行标准∶ 国军标
(8)检测项目：有害物质检测
覆盖产品∶IC，分立器件，模块等产品
检测能力∶ 支持铅（Pb）、镉（Cd）、汞（Hg）、六价铬（Cr6+）、多溴联苯（PBB）和多溴二苯醚（PBDE），以及卤素等其他化学元素的检测。主要元素Pb/Cd/Hg/Cr/Br低检测限可达2ppm。
执行标准∶ IEC
(9)检测项目：剖面分析
覆盖产品：IC，分立器件，模块等产品
检测能力：金相样品制备、样品观察、样品染色。
执行标准：客户要求
(10)检测项目：样品开封
覆盖产品：IC，分立器件，模块等产品
检测能力：激光开封、化学开封、样品剥层。
执行标准：客户要求
二、电学检测·Mosfet检测试分析_低价优惠_华则检测第三方实验室CNAS/CMA

(1)检测项目：直流参数
覆盖产品：MOSFET、IGBT、DIODE等模块产品；
检测能力：检测大电压7500V检测大电流6000A
执行标准：国标，IEC
(2)检测项目：雪崩能量
覆盖产品：MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半导体器件等单管器件
检测能力：检测大电压2500V检测大电流200A
执行标准：美军标
(3)检测项目∶栅极电阻
覆盖产品∶MOSFET、IGBT及第三代半导体器件
检测能力∶检测阻抗∶0.1Ω～50Ω
执行标准∶JEDEC
(4)检测项目：开关时间（器件级）
覆盖产品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体单管器件；
检测能力：大电压1200V 大电流200A
执行标准：美军标，国标，IEC等
(5)检测项目：开关时间（模块级）
覆盖产品：IGBT等模块产品
检测能力：检测大电压2700V检测大电流4000A
执行标准：国标，IEC
(6)检测项目：反向恢复（模块级）
覆盖产品：IGBT等模块产品
检测能力：检测大电压2700V检测大电流4000A
执行标准：国标，IEC
(7)检测项目：反向恢复（器件级）
覆盖产品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件
检测能力：大电压1200V 大电流200A
执行标准：美军标，国标，IEC等
(8)检测项目：栅极电荷（模块级）
覆盖产品：IGBT等模块产品
检测能力：检测大电压2700V检测大电流4000A
执行标准：国标，IEC
(9)检测项目：栅极电荷（器件级）
覆盖产品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件
检测能力：大电压1200V 大电流200A
执行标准：美军标，国标，IEC等
(10)检测项目：短路耐量能力（模块级）
覆盖产品：IGBT等模块产品
检测能力：检测大电压2700V，检测大电流10000A
执行标准：国标，IEC
(11)检测项目：短路耐量能力（器件级）
覆盖产品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件
检测能力：检测大电压1200V，检测大电流1000A；
执行标准：美军标，国标，IEC等
(12)检测项目：结电容
覆盖产品：MOSFET、IGBT及第三代半导体单管器件
检测能力：检测大电压3000V
执行标准：IEC
(13)检测项目：热阻性能（器件级）
覆盖产品：MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半导体单管器件
检测能力：功率250W
执行标准：美军标，JEDEC
(14)检测项目：热阻性能（模块级）
覆盖产品：IGBT等模块产品
检测能力：大功率4000W
执行标准：美军标，JEDEC
(15)检测项目：参数曲线扫描
覆盖产品：MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半导体器件等单管器件的l-V、C-V曲线
检测能力：检测大电压3000V检测大电流1500A温度-70°C~180°C
执行标准：美军标，IEC等
(16)检测项目：ESD能力
覆盖产品：MOSFET、IGBT、IC等产品
检测能力：HBM大电压8000V；MM大电压800V
执行标准：美军标，ANSI，JEDEC等
(17)检测项目：正向浪涌能力
覆盖产品：DIODE (Si/SiC)、整流桥；
检测能力：大电流800A
执行标准：美军标，国标
三、应用系统检测·Mosfet检测试分析_低价优惠_华则检测第三方实验室CNAS/CMA

(1)检测项目：电气参数
覆盖产品：开关电源(例如低压AC/DC电源，低压DC/DC电源，直流充电桩电源模块等)、电机控制板。
检测能力：低压AC/DC电源：单相大输入电压/功率为 300V/3KVA；大输出电压/功率：80V/1000W；低压DC/DC电 源：大输入电压/功率为80V/1.2KW；大输出电压/功率： 80V/1000W；直流充电桩电源模块：三相大输入电压/功率为 500V/30KVA；大输出电压/功率：700V/30KW；电机控制板： 直流输入电压/功率100V/5KW
执行标准：国标，IEC，客户要求等

(2)检测项目：保护功能测试
覆盖产品：开关电源(例如低压AC/DC电源，低压DC/DC电源，直流充电桩电源模块等)、电机控制板。
检测能力：低压AC/DC电源：单相大输入电压/功率为 300V/3KVA；大输出电压/功率：80V/1000W；低压DC/DC电 源：大输入电压/功率为80V/1.2KW；大输出电压/功率： 80V/1000W；直流充电桩电源模块：三相大输入电压/功率为 500V/30KVA；大输出电压/功率：700V/30KW；电机控制板： 直流输入电压/功率100V/5KW
执行标准：国标，IEC，客户要求等
(3)检测项目：元器件应力测试
覆盖产品：开关电源(例如低压AC/DC电源，低压DC/DC电源，直流充电桩电源模块等)、电机控制板、锂电保护板。
检测能力：大峰值电压：1.5KV；大有效值/峰值电流：30A/50A；高温度：260°C
执行标准：元器件规格，客户要求等
(4)检测项目：电气/抗电强度测试
覆盖产品：电子电气产品
检测能力：交流耐压范围：(0~5)KV/40mA；直流耐压范围：(0~6)KV/9999uA
执行标准：国标，IEC，客户要求等
(5)检测项目：绝缘电阻测试
覆盖产品：电子电气产品
检测能力：(100~1K)Vdc/9999mΩ
执行标准：国标，IEC，客户要求等
(6)检测项目：接地电阻测试
覆盖产品：电子电气产品
检测能力：30A/600mΩ
执行标准：国标，IEC，客户要求等
(7)检测项目：低温测试
覆盖产品：电子电气产品
检测能力：低温度：-70℃
执行标准：国标，IEC，客户要求等
(8)检测项目：高温测试
覆盖产品：电子电气产品
检测能力：高温度：~180℃
执行标准：国标，IEC，客户要求等
(9)检测项目：高加速寿命/应力测试
覆盖产品∶电子电气产品
检测能力∶温度范围∶（-100～+200）℃℃;温度上升速率∶平均（70°～100°）C/m; 加速∶（5-60）gRMS （空台）
执行标准∶国标，IEC，客户要求等
(10)检测项目：静电放电抗扰度测试
覆盖产品∶电子电气产品
检测能力∶接触静电放电电压范围∶（±2～±8）KV空气静电放电电压范围∶（±2～±25）KV
执行标准∶国标，IEC，客户要求等
(11)检测项目：雷击浪涌抗扰度测试
覆盖产品∶电子电气产品
检测能力∶1.2/50us综合波的开路电压范围∶（0.25～10）KV; 10/700us通讯波的开路电压范围∶（0～6）KV;输出阻抗∶ 1.2/50us综合波2Ω、12Ω和500Ω;10/700us通讯波15Ω和40Ω
执行标准∶国标，IEC，客户要求等；
(12)检测项目：电源端子骚扰电压/传导测试
覆盖产品：电子电气产品
检测能力：9KHz~ 30MHz
执行标准：国标，IEC，客户要求等
四、可靠性测试·Mosfet检测试分析_低价优惠_华则检测第三方实验室CNAS/CMA

(1)检测项目：功率循环龌 (PC)
覆盖产品∶IGBT模块
检测能力∶△Tj=100℃电压电流大1800A，12V
执行标准∶ IEC 客户自定义
(2)检测项目：高温门极试验(HTGB)
覆盖产品∶MOSFET、SiC MOS等单管器件
检测能力∶温度高150℃;电压高2000V
执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等
(3)检测项目：低温工作寿命试验(LTOL)
覆盖产品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件
检测能力∶温度低-80℃ 电压高2000V
执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等
(4)检测项目：低温储存试验(LTSL)
覆盖产品∶ MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品
检测能力∶温度低-80℃
执行标准∶ 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等
(5)检测项目：高低温循环试验(TC)
覆盖产品∶MOSFET、IGBT、IDIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品
检测能力∶温度范围∶-80℃~220℃
执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等
(6)检测项目：稳态功率试验(SSOL)
覆盖产品∶MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件
检测能力∶△Tj≥100℃，电压电流大48V，10A
执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等
(7)检测项目：无偏压的高加速应力试验(UHAST)
覆盖产品∶MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品
检测能力∶温度130℃ 湿度85%
执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等
(8)检测项目：预处理试验(Pre-con)
覆盖产品∶所有SMD类型器件
检测能力∶设备满足各个等级的试验要求
执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等
(9)检测项目：高温反偏试验(HTRB)
覆盖产品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半导体器件等单管器件
检测能力∶温度高150℃; 电压高2000V
执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等
(10)检测项目：高温工作寿命试验(HTOL)
覆盖产品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件
检测能力∶温度高150℃，电压高2000V
执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等
(11)检测项目：高温储存试验(HTSL)
覆盖产品∶ MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品
检测能力∶温度高150℃;
执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等
(12)检测项目：高温高湿试验(THB)
覆盖产品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品
检测能力∶温度高180℃ 湿度范围∶10%~98%
执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等
(13)检测项目：间歇寿命试验(IOL)功率循试验(PC)
覆盖产品∶MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件
检测能力∶△Tj≥100℃ 电压电流大48V，10A
执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等
(14)检测项目：高加速应力试验(HAST)
覆盖产品∶ MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品
检测能力∶ 温度130℃/110℃ 湿度85%
执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等
(15)检测项目：高温蒸煮试验(PCT)
覆盖产品∶ MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品
检测能力∶温度121℃ 湿度100%
执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等
(16)检测项目：潮气敏感度等级试验(MSL)
覆盖产品∶所有SMD类型器件
检测能力∶设备满足各个等级的试验要求
执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等
(17)检测项目：可焊性试验(Solderability)
覆盖产品∶ MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件
检测能力∶有铅、无铅均可进行
执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等

五、其它测试·Mosfet检测试分析_低价优惠_华则检测第三方实验室CNAS/CMA


Mosfet检测试分析_低价优惠_华则检测第三方实验室CNAS/CMA：“华则检测”专业的第三方检测机构。具有CNAS和CMA认证资质，拥有多个设备一流、水平、专业人员、制度规范的大型综合“第三方公正检测实验单位”，对外提供检测测试和验证等服务。

Mosfet检测试分析_低价优惠_华则检测第三方实验室CNAS/CMA：“华则检测”主要业务包含功率器件参数检测、半导体可靠性检测、半导体环境老化试验分析、应用级系统分析、半导体失效分析、车用分立器件可靠性测试认证、车用功率模块可靠性测试认证、力学实验、气候环境实验等领域，