区域提纯后的金属锗,其锭底表面上的电阻率为30~50欧姆 厘米时,纯度相当于8~9,可以满足电子器件的要求。但对于杂质浓度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探测器级超纯锗,则尚须经过特殊处理。
由于锗中有少数杂质如磷、铝、硅、硼的分配系数接近于1或大于1,要加强化学提纯方法除去这些杂质,然后再进行区熔提纯。电子级纯的区熔锗锭用霍尔效应测量杂质(载流子)浓度,一般可达10~10原子/厘米。经切头去尾,再利用多次拉晶和切割尾,一直达到所要求的纯度(10原子/厘米),这样纯度的锗(相当于13)所作的探测器,其分辨率已接近于理论数值。
平面显示器(FPD)这些年来大幅冲击以阴极射线管(CRT)为主的电脑显示器及电视机市场,纯银板材价格,亦将带动ITO靶材的技术与市场需求。如今的iTO靶材有两种.一种是采用纳米状态的氧化铟混合后烧结,一种是采用铟锡合金靶材。铟锡台金靶材可以采用直流反应溅射制造ITO薄膜,但是靶表面会氧化而影响溅射率,纯银板材多少钱,并且不易得到大尺寸的台金靶材。如今一般采取方法生产ITO靶材,利用L}IRF反应溅射镀膜.它具有沉积速度快.且能控制膜厚,电导率高,薄膜的一致性好,与基板的附着力强等优点。
精铝经过区熔提纯,纯银板材报价,只能达到5 的高纯铝,但如使用在有机物电解液中进行电解,可将铝提纯到99.9995%,并可除去有不利分配系数的杂质,黑龙江纯银板材,然后进行区熔提纯数次,就能达到接近于 7 的纯度,杂质总含量lt;0.5ppm。这种超纯铝除用于制备化合物半导体材料外,还在低温下有高的导电性能,可用于低温电磁设备。
制备化合物半导体的金属如铟、磷,可利用氯化物精馏氢还原、电解精炼、区熔及拉晶提纯等方法制备超纯金属,总金属杂质含量为 0.1~1ppm。其他金属如银、金、镉、、铂等也能达到≥6 的水平。
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